[发明专利]双层金属框架内置电感集成电路无效
申请号: | 201210075692.7 | 申请日: | 2012-03-21 |
公开(公告)号: | CN102543933A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 李真 | 申请(专利权)人: | 苏州贝克微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/522;H01L23/552 |
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地址: | 215011 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种双层金属框架内置电感集成电路,有芯片、电感器、合金磁芯、第一个金属框架、第二个金属框架和封装材料,芯片固定于第一个金属引线框架上,合金磁芯放置于电感器内部,电感器放置于第二个金属框架内部,第二个金属框架接地,芯片、电感器、合金磁芯及两个金属框架均设置在封装材料内部。将电感与芯片一起封装,既节约电路面积又节省安装步骤,同时还提高系统集成度,提升性能,降低整体成本。第二个接地的金属框架包裹电感器提供了磁屏蔽,有效地降低了电感器对芯片的磁干扰,提升了系统的整体性能。 | ||
搜索关键词: | 双层 金属 框架 内置 电感 集成电路 | ||
【主权项】:
一种双层金属框架内置电感集成电路,其特征是:有芯片、电感器、合金磁芯、第一个金属框架、第二个金属框架和封装材料。
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