[发明专利]光电转换器件、光电转换器件阵列、光电转换器件的制造方法以及电子设备无效
| 申请号： | 201210075766.7 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102693842A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 小野彰 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01G9/004 | 分类号： | H01G9/004;H01G9/20;H01G9/26;H01M14/00;H01L51/44;H01L51/42;H01L27/30;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及光电转换器件、光电转换器件阵列、光电转换器件的制造方法以及电子设备。本发明的光电转换器件包含：设置在基板上的多孔电极和对电极；设置在多孔电极和对电极之间的电解质层；设置在基板的其上设有多孔电极的面上的集电配线；以及设置在基板的光入射侧的光导结构。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 器件 阵列 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
一种光电转换器件，其包含：设置在基板上的多孔电极和对电极；设置在所述多孔电极和所述对电极之间的电解质层；设置在所述基板的其上设有所述多孔电极的面上的集电配线；以及设置在所述基板的光入射侧的光导结构。
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