[发明专利]一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法，所述的内嵌多N岛P沟道超结器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的P型漂移区，位于所述P型漂移区一侧的N型体区，以及位于所述P型漂移区另一侧上的P型漏区，其中，所述P型漂移区中形成有多个互相间隔且平行排列的岛状N区，且各该岛状N区由P型源区朝P型漏区方向线性变小，由于在高压下衬底辅助耗尽效应作用从源端到漏端依次增强，因此岛状N区相应地从源端到漏端方向上由大变小，以实现和衬底辅助耗尽效应作用互补抵消，最终达到电荷平衡的目的。

主权项

一种内嵌多N岛P沟道超结器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，通过硼离子注入在所述半导体衬底上制备一层P型漂移区；提供一开设有多组平行排列的离子注入窗口的掩模板，所述多组离子注入窗口从所述掩模板的一侧趋向另一侧依次减小；2)向所述P型漂移区中注入N型离子并藉由所述掩模板的遮挡以控制N型离子的浓度分布；3)将所述半导体衬底退火，以在所述P型漂移区中形成互相间隔且平行排列的多个岛状N区，且各该岛状N区由其一端朝向另一端线性变小；4)在所述P型漂移区上且临近所述岛状N区的大头端制备出N型体区，并在所述N型体区上方制备出P型源区、N型体接触区及栅氧化层；在所述P型漂移区上且临近所述岛状N区的小头端制备出P型漏区。