[发明专利]一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法无效
| 申请号： | 201210077717.7 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102610525A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏电流的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有栅极介质层和栅电极，所述栅电极具有第一侧和第二侧，所述栅电极第一侧的半导体衬底为源极区，第二侧的半导体衬底为漏极区，其中，还包括：对漏极以及源极进行斜角轻掺杂漏极的注入，使漏极区中形成漏极轻掺杂区域，源极区中形成源极轻掺杂区域。通过发明一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏电流的方法，有效地采用斜角注入的方法，使沟道保持有效长度不变的情况下，降低了漏端与栅极交叠区域，降低了漏端的有效纵向电场，从而减小了半导体器件栅致漏极泄漏电流，同时保持沟道有效长度不变的情况下，降低了漏端有效纵向电场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 半导体器件 诱导 泄漏 方法 | ||
【主权项】：
一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏电流的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有栅极介质层和栅电极，所述栅电极具有第一侧和第二侧，所述栅电极第一侧的半导体衬底为源极区，第二侧的半导体衬底为漏极区，其特征在于，还包括：对漏极区以及源极区进行斜角轻掺杂漏极的注入，使漏极区中形成漏极轻掺杂区域，源极区中形成源极轻掺杂区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210077717.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于信息传输端口来对信息进行加密的方法及系统
- 下一篇：封装载板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
