[发明专利]基板处理方法和存储介质有效
| 申请号： | 201210077997.1 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102691065A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 曾根隆;西村荣一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够不使用卤素气体而对至少含有铂的层进行蚀刻的基板处理方法。在使用具有规定的图案形状的钽层(38)对在晶片(W)形成的铂锰层(37)进行蚀刻时，使用含有一氧化碳气体、氢气和氩气的处理气体，在该处理气体中，相对于一氧化碳气体和氢气的合计流量，氢气的流量比为50％～75％。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，其使用掩膜对形成于基板的至少含有铂的层进行蚀刻，该基板处理方法的特征在于：使用至少含有一氧化碳气体、氢气和稀有气体的处理气体，对所述至少含有铂的层进行蚀刻，相对于所述一氧化碳气体和所述氢气的合计流量，所述氢气的流量比为50％～75％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210077997.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：取像镜头组
- 下一篇：提供改良质地的发酵奶制品的乳酸菌
