[发明专利]发光器件及包括该发光器件的发光器件封装有效
| 申请号： | 201210080105.3 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102983243B | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 郑明训;林贤哲;金设禧;崔洛俊 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 夏凯,谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光器件及包括该发光器件的发光器件封装。公开了一种发光器件。所公开的发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。该第一导电类型半导体层、该有源层和该第二导电类型半导体层被设置为在相同方向上彼此邻近。该有源层包括交替地堆叠至少一次的阱层和势垒层。该阱层具有比该势垒层小的能带隙。该发光器件进一步包括设置在第一导电类型半导体层中的掩模层、设置在第一导电类型半导体层上的第一电极和设置在第二导电类型半导体层上的第二电极。该第一导电类型半导体层被形成有至少一个凹部。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 包括 封装 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，其中，所述第一导电类型半导体层、所述有源层和所述第二导电类型半导体层被设置成在相同方向上彼此邻近，所述有源层包括交替地堆叠至少一次的阱层和势垒层，并且所述阱层具有比所述势垒层小的能带隙；掩模层，所述掩模层设置在所述第一导电类型半导体层中；第一电极，所述第一电极设置在所述第一导电类型半导体层上；以及第二电极，所述第二电极设置在所述第二导电类型半导体层上，其中，所述第一导电类型半导体层被形成有至少一个凹部，其中，所述掩模层包括掩蔽区和与所述掩蔽区区分的窗口区，以及其中，所述凹部与所述窗口区垂直地重叠，并且不与所述掩蔽区垂直地相重叠。
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