[发明专利]金属-多层绝缘体-金属电容器及其制造方法、集成电路有效
| 申请号： | 201210081401.5 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102623305A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪;胡友存;徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属-多层绝缘体-金属电容器及其制造方法、集成电路。根据本发明的金属-多层绝缘体-金属电容器制造方法包括：介质层提供步骤，用于提供介质层；电容器槽形成步骤，用于在介质层中形成用于形成电容器的电容器槽；电容器槽填充步骤，用于在电容器槽中填充氮化硅；电容器图案形成步骤，用于使所填充的氮化硅图案化，从而形成多个氮化硅柱；氧化硅沉积步骤，用于在氮化硅柱的侧壁上沉积氧化硅；以及金属填充步骤，用于利用金属填充图案化的氮化硅中形成的凹部。根据本发明，可有效地提高层间和层内电容器的电容，改善包含金属-多层绝缘体-金属电容器的击穿电压、漏电流等各电特性，以及各器件间的电学均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 多层 绝缘体 电容器 及其 制造 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
一种金属‑多层绝缘体‑金属电容器制造方法，其特征在于包括：介质层提供步骤，用于提供介质层；电容器槽形成步骤，用于在介质层中形成用于形成电容器的电容器槽；电容器槽填充步骤，用于在电容器槽中填充氮化硅；电容器图案形成步骤，用于使所填充的氮化硅图案化，从而形成多个氮化硅柱；氧化硅沉积步骤，用于在氮化硅柱的侧壁上沉积氧化硅；以及金属填充步骤，用于利用金属填充图案化的氮化硅中形成的凹部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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