[发明专利]一种半导体功率器件背面的制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体功率器件的硅片的背面制备方法，包括以下步骤首先把完成前道工序的硅片研磨其背面至所需厚度，接着在半导体衬底刚完成磨薄工序后，还未注入任何掺杂剂前，便在硅片背表面溅射或沉积最小一层金属层，然后对硅片背表面以注入角度为偏离垂直方向7度注入p型掺杂质离子和以注入角度为偏离垂直方向0度注入n型掺杂质离子，之后用退火热处理激活注入到背表面的p型掺杂质和n型掺杂质来形成p型区和n型缓冲区，最后，在硅片的背表面沉积多层金属层连接所述的p型区从而形成背面电极。

主权项

一种半导体功率器件背面的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)一种半导体硅片(10)具有彼此相对的第一主面(20)和第二主面(30)，在所述半导体硅片(10)的第一主面(20)侧形成功率器件的表面结构(200)；(2)研磨已形成功率器件的表面结构(200)的半导体硅片(10)的第二主面(30)；(3)在半导体硅片刚完成研磨工序后，还未注入任何掺杂剂前，便在半导体硅片的第二主面(30)表面沉积一层金属层或氮化钛层(104)；(4)在半导体硅片完成在沉积一层金属层或氮化钛层(104)后的第二主面(30)上形成p型区(102)，p型区(102)的制作工序包含注入p型掺杂质离子到所述半导体硅片的所述第二主面(30)，注入角度为偏离垂直方向7度；(5)在半导体硅片完成在沉积一层金属层或氮化钛层(104)后的第二主面(30)上形成n型缓冲区(101)，n型缓冲区(101)的制作工序包括注入n型掺杂质离子到所述半导体硅片的所述第二主面(30)，注入角度范围为偏离垂直方向0度；(6)所述的p型掺杂质离子和n型掺杂质离子注入到第二主面(30)后通过同一退火热处理被激活；(7)在所述的第二主面(30)上形成第二主面电极(103)，所述第二主面电极(103)具有多层金属层连接所述的p型区(102)。