[发明专利]氮化物半导体发光装置无效
| 申请号： | 201210082249.2 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102867894A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 沈炫旭;李东柱;申东益;金荣善;浅井诚;孙俞利 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括：发光结构，具有p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层和形成在它们之间的活性层；p侧电极和n侧电极，分别电连接至p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层；以及接触层，设置在p型氮化物半导体层和p侧电极之间，并包括具有第一杂质浓度以与p侧电极形成欧姆接触的第一p型氮化物层和具有第二杂质浓度的第二p型氮化物层，第二杂质浓度低于第一杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括：发光结构，具有p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及形成在p型氮化物半导体层与n型氮化物半导体层之间的活性层；p侧电极和n侧电极，p侧电极电连接至p型氮化物半导体层，n侧电极电连接至n型氮化物半导体层；以及接触层，设置在p型氮化物半导体层和p侧电极之间，并包括具有第一杂质浓度以与p侧电极形成欧姆接触的第一p型氮化物层和具有第二杂质浓度的第二p型氮化物层，第二杂质浓度低于第一杂质浓度。
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