[发明专利]穿硅通孔结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210082605.0 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103367280A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种穿硅通孔结构，包括一半导体基底，其中设有至少一导通孔；一导体材料层，填入该导通孔中；以及一空气胞，设于该半导体基底，并靠近该导体材料。由于空气胞中的空气，其介电常数为1，故此结构能够有效降低穿硅通孔之间的寄生电容，并提升半导体器件的运作效能。 | ||
| 搜索关键词： | 穿硅通孔 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种穿硅通孔结构，其特征在于，包含：一半导体基底，其中设有至少一导通孔；一导体材料层，填入该导通孔中；以及一空气胞，设于该半导体基底，并靠近该导体材料。
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