[发明专利]光刻蚀方法、光罩组合及曝光系统有效
| 申请号： | 201210082947.2 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102608860A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 郑文达 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/80 | 分类号： | G03F1/80;G03F1/56;G03F7/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦;丁建春 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光刻蚀方法，所述方法包括：在基底上形成待图案化的材料层；在所述材料层上形成光致抗蚀剂层；使用叠加的至少两光罩对所述光致抗蚀剂层进行曝光，每个光罩上设有相应图案，所述至少两光罩上的相应图案叠加结合而形成新图案；对所述曝光后的光致抗蚀剂层进行处理而得到对应新图案的镂空结构；利用所述镂空结构对材料层进行刻蚀，以形成图案化的材料层。本发明还公开了一种光罩组合和一种光罩系统。通过上述方式，本发明能够降低光罩的重新制作机率，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 组合 曝光 系统 | ||
【主权项】：
一种光刻蚀方法，其特征在于，包括：在基底上形成待图案化的材料层；在所述材料层上形成光致抗蚀剂层；使用叠加的至少两光罩对所述光致抗蚀剂层进行曝光，每个光罩上设有相应图案，所述至少两光罩上的相应图案叠加结合而形成新图案；对所述曝光后的光致抗蚀剂层进行处理而得到对应新图案的镂空结构；利用所述镂空结构对材料层进行刻蚀，以形成图案化的材料层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210082947.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
