[发明专利]等离子体加工设备的部件和在等离子体加工设备中刻蚀半导体基材的方法有效
| 申请号： | 201210083136.4 | 申请日： | 2004-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102659320B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | M·W·柯赫尔鲍驰;J·E·道格赫缇 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | C03C15/00 | 分类号： | C03C15/00;B08B3/08;B24B7/24;B24B9/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了表面精加工等离子体加工设备部件的方法。所述的部件包括至少一个暴露到等离子体中的表面。所述的方法包括机械抛光、化学刻蚀和清洗暴露到等离子体中的表面，以便获得所希望的表面形态。部件的石英玻璃密封表面也可用所述的方法精加工。可将相同部件暴露到等离子体中的表面和密封表面精加工到彼此不同的表面形态。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 加工 设备 部件 刻蚀 半导体 基材 方法 | ||
【主权项】：
一种对在等离子体加工装置中先前暴露于等离子体的部件进行表面精加工的方法，包括：用清洗液清洗部件的暴露于等离子体的石英玻璃表面以从该表面除去金属污染物，该清洗液包含选自草酸、甲酸、乙酸、柠檬酸及其混合物中的至少一种酸，其中该暴露于等离子体的石英玻璃表面在清洗之前不经过机械抛光和/或化学刻蚀过程，和其中部件选自气体注入器、介电窗、电极、观察孔、边环、聚焦环和限制环。
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