[发明专利]MOS器件阈值电压波动性的测量电路及测量方法有效
| 申请号： | 201210083793.9 | 申请日： | 2012-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN102645569A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 洪杰;何燕冬;张钢刚;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS器件阈值电压波动性的测量电路及测量方法，涉及集成电路技术领域，所述测量电路包括：类型相同的待测MOS管和标准MOS管，所述待测MOS管和标准MOS管串联连接。本发明通过串联连接的待测MOS管和标准MOS管来测量待测MOS管的阈值电压的波动性，降低了测试器件结构的复杂度，并减少了测量所耗费的时间。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 阈值 电压 波动性 测量 电路 测量方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件阈值电压波动性的测量电路，其特征在于，所述测量电路包括：类型相同的待测MOS管和标准MOS管，所述待测MOS管和标准MOS管串联连接。
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