[发明专利]多元掺杂热丝化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法有效
申请号: | 201210085095.2 | 申请日: | 2012-03-27 |
公开(公告)号: | CN102586762A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 孙方宏;张文骅;张志明;郭松寿;沈荷生 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学;上海交友钻石涂层有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/46;C23C16/30 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种多元掺杂热丝化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法及用于其中的反应气体输送装置。所述方法以硅、碳化硅或氮化硅陶瓷、硬质合金、以及高熔点金属材料(钨、钽、钼、钛等)为衬底,以CVD法为沉积手段,在反应气体氢气和丙酮(或丙酮和甲醇)蒸汽中同时添加含Si、含Si和含N、含Si和含B或含Si、含N和含B的有机化合物,形成多元掺杂体系;反应得到了亚微米或纳米级金刚石薄膜涂层,涂层厚度可在10~50μm之间调节。该薄膜具有耐磨、耐腐蚀、绝缘电阻高(不掺硼场合)、表面光滑、摩擦系数小、易研磨抛光等特点,即兼有微米金刚石和纳米金刚石涂层的双重优点。 | ||
搜索关键词: | 多元 掺杂 化学 沉积 制备 金刚石 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种多元掺杂热丝化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法,所述方法包括将衬底材料预处理后,置于热丝化学气相沉积装置的反应室内,在其表面沉积金刚石薄膜,其特征在于,通入所述反应室中的反应气体包括氢气以及碳源气体,所述碳源气体掺杂有以下原子组合中的一种:Si、Si和N、Si和B、Si和N以及B原子。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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