[发明专利]电荷泵及电荷泵系统有效

专利信息
申请号: 201210085235.6 申请日: 2012-03-27
公开(公告)号: CN102624222B 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 杨光军;胡剑;吴常谦 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种电荷泵及电荷泵系统。所述电荷泵包括升压电路、控制电路和电压传输电路;所述升压电路,用于根据第一控制信号将第一输入电压升压;所述电压传输电路包括第一NMOS管,所述第一NMOS管的源极连接升压电路,栅极连接控制电路,漏极作为电荷泵的第一输出端;所述控制电路用于控制所述第一NMOS管的导通或断开;所述第一NMOS管在导通时将升压后的第一输入电压输出;第一NMOS管包括P型衬底,在所述P型衬底中包括N型阱区,在所述N型阱区中包括P型阱区,在所述P型阱区中包括N型掺杂的源极区和漏极区;第一NMOS管的P型衬底、N型阱区分别与源极区相连。本发明避免了MOS管被击穿,提高了电路的可靠性;消除了MOS管的衬偏效应,提高了电荷泵的传输效率。
搜索关键词: 电荷 系统
【主权项】:
一种电荷泵,其特征在于,包括升压电路、控制电路和电压传输电路;所述升压电路,用于根据第一控制信号将第一输入电压升压;所述电压传输电路包括第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管,所述第一NMOS管的源极连接所述升压电路,栅极连接所述控制电路,漏极作为所述电荷泵的第一输出端;所述第二NMOS管的源极连接所述第一NMOS管的源极,所述第二NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极,所述第二NMOS管的漏极作为所述电荷泵的第二输出端;所述第三NMOS管的源极连接第一NMOS管的源极,所述第三NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的漏极,所述第三NMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的栅极并接收第二输入电压;所述控制电路用于控制所述第一NMOS管的导通或断开;所述第一NMOS管在导通时将升压后的第一输入电压输出;其中,所述第一NMOS管包括P型衬底,在所述P型衬底中包括N型阱区,在所述N型阱区中包括P型阱区,在所述P型阱区中包括N型掺杂的源极区和漏极区;所述第一NMOS管的P型衬底、N型阱区分别与源极区相连。
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