[发明专利]电荷泵及电荷泵系统有效
申请号: | 201210085235.6 | 申请日: | 2012-03-27 |
公开(公告)号: | CN102624222B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 杨光军;胡剑;吴常谦 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种电荷泵及电荷泵系统。所述电荷泵包括升压电路、控制电路和电压传输电路;所述升压电路,用于根据第一控制信号将第一输入电压升压;所述电压传输电路包括第一NMOS管,所述第一NMOS管的源极连接升压电路,栅极连接控制电路,漏极作为电荷泵的第一输出端;所述控制电路用于控制所述第一NMOS管的导通或断开;所述第一NMOS管在导通时将升压后的第一输入电压输出;第一NMOS管包括P型衬底,在所述P型衬底中包括N型阱区,在所述N型阱区中包括P型阱区,在所述P型阱区中包括N型掺杂的源极区和漏极区;第一NMOS管的P型衬底、N型阱区分别与源极区相连。本发明避免了MOS管被击穿,提高了电路的可靠性;消除了MOS管的衬偏效应,提高了电荷泵的传输效率。 | ||
搜索关键词: | 电荷 系统 | ||
【主权项】:
一种电荷泵,其特征在于,包括升压电路、控制电路和电压传输电路;所述升压电路,用于根据第一控制信号将第一输入电压升压;所述电压传输电路包括第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管,所述第一NMOS管的源极连接所述升压电路,栅极连接所述控制电路,漏极作为所述电荷泵的第一输出端;所述第二NMOS管的源极连接所述第一NMOS管的源极,所述第二NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极,所述第二NMOS管的漏极作为所述电荷泵的第二输出端;所述第三NMOS管的源极连接第一NMOS管的源极,所述第三NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的漏极,所述第三NMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的栅极并接收第二输入电压;所述控制电路用于控制所述第一NMOS管的导通或断开;所述第一NMOS管在导通时将升压后的第一输入电压输出;其中,所述第一NMOS管包括P型衬底,在所述P型衬底中包括N型阱区,在所述N型阱区中包括P型阱区,在所述P型阱区中包括N型掺杂的源极区和漏极区;所述第一NMOS管的P型衬底、N型阱区分别与源极区相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210085235.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光二极管的制法
- 下一篇:波像差测量装置及其测量方法