[发明专利]GaN衬底、半导体器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210086294.5 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102637723A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 张正海;张宗民;曹伯承 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/20;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN衬底、半导体器件及其制作方法，GaN衬底包括：GaN基底；AlGaN层，位于GaN基底上；p型导电层，位于AlGaN层的有源区上，用于耗尽AlGaN层上的表面态负电子并中和AlGaN层上的悬挂键。本发明提供的GaN衬底、半导体器件及其制作方法，通过在AlGaN层上形成p型导电层，能够利用p型导电层中的空穴载流子，耗尽n型的AlGaN层上的表面态负电子，中和AlGaN层上的断面的悬挂键，防止虚栅的形成，从而起到抑制以GaN衬底制作的半导体器件的电流崩塌效应，改善半导体器件的性能，提高其可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | gan 衬底 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓GaN衬底，其特征在于，包括：GaN基底；AlGaN层，位于所述GaN基底上；p型导电层，位于所述AlGaN层的有源区上，用于耗尽所述AlGaN层上的表面态负电子并中和所述AlGaN层上的悬挂键。
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