[发明专利]离子注入方法及离子注入装置

摘要

本发明提供一种离子注入方法及离子注入装置，在机械扫描方向上将晶片面内的注入区域分割为多个，能够按各注入区域分别对射束扫描方向的射束扫描速度进行可变设定，并且根据通过与各注入区域的离子注入量分布对应的射束扫描速度的可变设定来计算出的速度模式，对射束扫描速度进行变更控制，按各注入区域分别控制晶片扫描速度，从而控制晶片面内的各注入区域的离子注入量，并且使按所述各注入区域控制射束扫描速度时的射束扫描频率和射束扫描振幅恒定，从而实现在各注入区域具有所希望的离子注入量分布的离子注入。

主权项

一种离子注入方法，其使离子束进行往返射束扫描，沿与射束扫描方向正交的方向机械扫描晶片，从而对晶片进行离子注入，其特征在于，在晶片机械扫描方向上将晶片面内的注入区域分割为多个注入区域，能够按各注入区域分别对射束扫描方向的射束扫描速度进行可变设定，并且根据通过与各注入区域的离子注入量分布对应的射束扫描速度的可变设定来计算出的速度模式，对射束扫描速度进行变更控制，从而控制各注入区域的离子注入量分布，并且与各注入区域对应地设定晶片机械扫描速度来按各注入区域分别进行控制，由此控制各注入区域的离子注入量，并且使按各注入区域控制射束扫描速度时的射束扫描频率和射束扫描振幅恒定。