[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201210087638.4 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103165550A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 沈更新 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为一半导体结构，包含基板、至少二衬垫、钝化层、至少二凸块底层金属层及至少二凸块。衬垫沿第一方向相邻设置于基板上。且钝化层覆盖于基板及各衬垫的周围上表面以分别界定一开口，各开口于第二方向各具有一开口投影，开口投影各自相邻设置而不重叠，其中，第一方向与第二方向垂直。凸块底层金属层则设置于各个开口上。而凸块则分别设置于各凸块底层金属层上。此种半导体结构，可使凸块的宽度增大，而不受限于凸块间距。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含：基板；至少二衬垫，沿第一方向相邻设置于该基板上；钝化层，覆盖该基板并覆盖各该衬垫的周围上表面以分别界定至少一开口，各该开口于第二方向各具有一开口投影，该些开口投影相邻设置而不重叠，且该第一方向与该第二方向垂直；以及至少二凸块底层金属层，分别设置于各该开口上；至少二凸块，分别设置于各该凸块底层金属层上。
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