[发明专利]大马士革结构的制作方法有效
| 申请号： | 201210088627.8 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367233A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 胡敏达;张城龙;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种大马士革结构的制作方法，其包括：在金属导电层上依次形成介电层、掩模层；以至少经过一次图形化处理的掩模层为掩模、对介电层进行刻蚀，在介电层中形成暴露金属导电层的沟槽、孔；利用包含浓双氧水与EKC575的溶液对沟槽、孔进行第一清洗处理；然后，在等离子体反应腔室中利用包含N2与H2的混合气体对沟槽、孔进行处理；然后，利用稀氢氟酸对沟槽、孔进行第二清洗处理。本发明在刻蚀形成大马士革结构中的孔、沟槽之后，通过选择合适的清洗处理方法，在有效去除杂质的同时，使大马士革结构下方的金属导电层不会产生笑脸缺陷，提高了大马士革结构所在集成电路的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 大马士革 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在金属导电层上依次形成介电层、掩模层；以至少经过一次图形化处理的所述掩模层为掩模、对所述介电层进行刻蚀，在所述介电层中形成暴露所述金属导电层的沟槽、孔；利用包含浓双氧水与EKC575的溶液对所述沟槽、孔进行第一清洗处理；第一清洗处理之后，在等离子体反应腔室中利用包含N2与H2的混合气体对所述沟槽、孔进行处理；利用稀氢氟酸对所述沟槽、孔进行第二清洗处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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