[发明专利]形成接触孔的方法

摘要

一种形成接触孔的方法，包括：提供基底，基底上具有包括第一应力垫衬层和第二应力垫衬层的双应力垫衬层，且第一应力垫衬层和第二应力垫衬层具有叠置部分；在双应力垫衬层上依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层，第二介质层的顶面与叠置部分的双应力垫衬层的顶面相平；刻蚀第三介质层，在第三介质层中形成多个第一开口；刻蚀多个第一开口下的第二介质层、叠置部分的位于顶层的应力垫衬层和第一介质层，形成多个第二开口，多个第二开口底部暴露出第一应力垫衬层、第二应力垫衬层、叠置部分的位于底层的应力垫衬层；去除位于第二开口下的应力垫衬层，形成接触孔。本技术方案可以避免现有技术中金属硅化物的损失。

主权项

一种形成接触孔的方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成双应力垫衬层，所述双应力垫衬层包括第一应力垫衬层和第二应力垫衬层，且所述第一应力垫衬层和第二应力垫衬层具有叠置部分，且所述第一应力垫衬层具有的应力和第二应力垫衬层具有的应力相反；在所述双应力垫衬层上依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层，所述第二介质层的顶面与所述叠置部分的双应力垫衬层的顶面相平；刻蚀所述第三介质层，在所述第三介质层中形成多个第一开口，所述多个第一开口暴露出所述第二介质层和叠置部分的位于顶层的应力垫衬层，所述第三介质层的刻蚀速率大于所述第二介质层和叠置部分的位于顶层的应力垫衬层的刻蚀速率；刻蚀所述多个第一开口下的第二介质层、叠置部分的位于顶层的应力垫衬层和第一介质层，形成多个第二开口，所述多个第二开口底部暴露出第一应力垫衬层、第二应力垫衬层、叠置部分的位于底层的应力垫衬层，在刻蚀第二介质层时，所述第二介质层的刻蚀速率介于所述第一介质层的刻蚀速率和所述叠置部分的位于顶层的应力垫衬层的刻蚀速率之间；去除位于所述第二开口下的第一应力垫衬层、第二应力垫衬层、叠置部分的位于底层的应力垫衬层，形成接触孔。