[发明专利]带隙基准电压源电路和带隙基准电压源有效

专利信息
申请号: 201210088869.7 申请日: 2012-03-29
公开(公告)号: CN102622038A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 贾晓伟;邓龙利;王帅旗 申请(专利权)人: 北京经纬恒润科技有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明
地址: 100101 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例的目的在于提供带隙基准电压源电路和带隙基准电压源,以解决现有带隙基准电压源电路,因为包含误差放大器及相应的偏置电路,存在面积较大的问题。同时,现有带隙基准电压源电路由于基准电压由一支路单独生成,因此,还存在其镜像电流源间的镜像失配也会加大基准电压的失调电压的问题。为解决上述问题,本发明实施例中所提供的带隙基准电压源电路中,没有用到误差放大器,因此省去了误差放大器自身的失调电压电压及噪声对基准电压输出端的影响,并且节省了功耗和面积;同时,本发明实施例中的基准电压输出支路并未如现有电路一样,由一个支路单独产生,也在一定程度上避免了电流镜像失配引起的失调电压的影响。
搜索关键词: 基准 电压 电路
【主权项】:
一种带隙基准电压源电路,其特征在于,包括第一至第六PMOS管,第一至第四电阻,以及第一至第三NPN型三极管;其中:第一至第三PMOS管的源极接入电源电压;第一至第三PMOS管的衬底接入电源电压;第一至第三PMOS管的栅极与第六PMOS管的漏极及第三电阻的上端相连;第四至第六PMOS管的衬底都接入电源电压或都与自身源极相连;第四PMOS管的源极连接第一PMOS管的漏极,第五PMOS管的源极连接第二PMOS管的漏极,第六PMOS管的源极连接第三PMOS管的漏极;第四至第六PMOS管的栅极连接到第三电阻的下端及第三NPN型三极管的集电极;第一电阻的上端连接第四PMOS管的漏极,第二电阻的上端连接第五PMOS管的漏极;第一NPN型三极管的基极和第二NPN型三极管的基极连接于第一NPN型三极管的集电极及第一电阻的下端;第三NPN型三极管的基极和第二NPN型三极管的集电极一同连接于第二电阻的下端;第一NPN型三极管的发射极连接于第四电阻的上端;第二NPN型三极管的发射极,第三NPN型三极管的发射极,以及第四电阻的下端分别接地;第二电阻的上端作为基准电压输出端。
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