[发明专利]一种太阳能电池用基底的处理工艺有效
申请号: | 201210088890.7 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN103367524B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 汪琴霞 | 申请(专利权)人: | 中建材浚鑫科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 逯长明,王宝筠 |
地址: | 214443 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种太阳能电池用基底的处理工艺,包括提供太阳能电池用基底;对所述基底进行制绒处理;对所述基底进行离子扩散处理;去除所述基底边缘的磷硅玻璃;在所述基底的正面形成抗反射层;其中,去除所述基底边缘的磷硅玻璃前还包括使用抛光液对所述基底的背面进行抛光处理。根据本发明实施例提供用的太阳能电池用基底的处理工艺,通过在去除该基底边缘的磷硅玻璃之前使用抛光液对该基底的背面进行抛光处理,使得太阳能电池用基底的背面更加平整,从而使太阳能电池基底的背面有更好的欧姆接触,能够进一步提高太阳能电池的工作电压,进而提高太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 基底 处理 工艺 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池用基底的处理工艺,包括提供太阳能电池用基底;对所述基底表面进行制绒处理;对所述基底进行离子扩散处理;去除所述基底边缘的磷硅玻璃;在所述基底的正面形成抗反射层;其特征在于,所述去除所述基底边缘的磷硅玻璃前还包括:使用抛光液对所述基底的背面进行抛光处理,所述抛光液为四甲基氢氧化铵;所述使用抛光液对所述基底的背面进行抛光处理前,还包括:去除所述基底背面的磷硅玻璃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的