[发明专利]一种具有1-3微米超宽带发光的含铋晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 201210088940.1 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102586871A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 彭明营;曹人平;邱建荣 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有1-3微米超宽带发光的含铋晶体，含有Bi53+团簇离子的卤化物晶体，所述含铋晶体为Bi5(GaCl4)3、Bi5(AlCl4)3、Bi5(AsF6)3S2O4。本发明还公开了在无水无氧条件下采用熔体法制备上述含有Bi53+团簇离子的卤化物晶体的方法。与现有技术相比，本发明制备的具有1-3微米超宽带发光的含铋晶体具有覆盖300-1100nm区间的吸收，具有1000-3000nm的超宽带荧光，荧光寿命在微秒量级，只有一种类型的Bi53+发光中心，作为增益介质，应用在超宽带波长可调谐新型激光光源或超短脉冲激光等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 微米 宽带 发光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有1‑3微米超宽带发光的含铋晶体，其特征在于，含有Bi53+团簇离子的卤化物晶体。
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