[发明专利]等离子体处理装置

摘要

本发明提供等离子体处理装置。通过控制环部件的温度抑制沉积物向基板背面的附着量。在电容耦合型的等离子体蚀刻装置中，以包围载置台的基板载置区域的方式，在该载置台上设置用于调整等离子体的状态的聚焦环。此外，在载置台的上表面与聚焦环的下表面之间，沿着聚焦环设置环状的绝缘部件，并且在相对该绝缘部件在晶片W的径向上相邻的位置、且在载置台的上表面与聚焦环的下表面之间，与上表面和下表面紧贴地设置导热部件。在等离子体处理时，聚焦环的热通过导热部件向载置台导热，所以聚焦环被冷却，能够减少沉积物向晶片W背面的附着量。

主权项

一种等离子体处理装置，在载置台的基板载置区域载置基板，所述载置台设置于真空容器内且兼用作下部电极，所述等离子体处理装置对所述下部电极与上部电极之间施加高频电力使处理气体等离子体化，对基板实施等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：环部件，其以包围所述基板载置区域的方式设置在所述载置台上，用于调整等离子体的状态；绝缘部件，其在所述载置台的上表面和所述环部件的下表面之间沿着该环部件相对于所述载置台上的基板的中心呈同心圆状地设置，用于调整该环部件与基板的电位差，从而将等离子体中的离子引入基板的背面一侧；和导热部件，其位于在基板的径向上与所述绝缘部件相邻的位置，并且在所述载置台的上表面与所述环部件的下表面之间与该上表面和下表面紧贴，而且沿着所述环部件设置。