[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201210089059.3 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN103367583A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 金元浩;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括：一基底、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体、一第一电极以及一第二电极；所述基底包括一外延生长面以及与该外延生长面相对的出光面；所述第一半导体层、活性层、第二半导体以及第一电极层依次层叠设置于所述基底的外延生长面；所述第一电极与所述第一半导体层电连接；所述第二电极与所述第二半导体层电连接；其中，所述出光面具有多个第一三维纳米结构，所述第一三维纳米结构为间隔设置的条形凸起结构，所述第一三维纳米结构的横截面为弓形。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：一基底、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体、一第一电极以及一第二电极；所述基底包括一外延生长面以及与该外延生长面相对的出光面；所述第一半导体层、活性层、第二半导体以及第一电极层依次层叠设置于所述基底的外延生长面；所述第一电极与所述第一半导体层电连接；所述第二电极与所述第二半导体层电连接；其特征在于，所述出光面具有多个第一三维纳米结构，该第一三维纳米结构为间隔设置的条形凸起结构，该第一三维纳米结构的横截面为弓形。
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