[发明专利]一种半导体量子点发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210089138.4 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102610725A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 谭占鳌;李舒生;何少剑;林俊 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L51/52;H01L33/00;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 薄观玖 |
| 地址： | 102206 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了属于量子点发光二极管技术领域的一种价格低廉，可溶液加工的阳极修饰层及用该修饰层制备量子点发光二极管的方法。该半导体量子点发光二极管包括依次层叠的衬底、高功函阳极层、阳极修饰层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层(可以没有)和低功函阴极层，其中，所述阳极修饰层为二(乙酰丙酮)氧化钼通过在空气中加热转变而成的氧化钼薄膜。以氧化钼为阳极修饰材料，将其引入量子点发光二极管中，实现了空穴的高效传输；并且与现有的PEDOT:PSS相比，本发明还具有修饰层不腐蚀阳极、发光效率高、工艺简单，成本低廉，实验重复性好、适合于大规模工业化生产等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体量子点发光二极管，其特征在于：该半导体量子点发光二极管包括依次层叠的衬底、高功函阳极层、阳极修饰层、空穴传输层、量子点发光层和低功函阴极层，或者该半导体量子点发光二极管包括依次层叠的衬底、高功函阳极层、阳极修饰层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和低功函阴极层，其中，所述阳极修饰层为氧化钼膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华北电力大学，未经华北电力大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210089138.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：组合式木塑托盘纵梁
- 下一篇：户用炉灶供风脱硫除尘装置
