[发明专利]一种基于电容层析成像的聚合物熔体温度场测量方法及系统有效
申请号: | 201210089479.1 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN102620855A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 刘桂雄;凌鹏涛;洪晓斌 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | G01K7/34 | 分类号: | G01K7/34 |
代理公司: | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 | 代理人: | 魏殿绅 |
地址: | 510640 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于电容层析成像的聚合物熔体温度场测量方法及系统,所述方法包括:测量已标定的电容式聚合物熔体温度场传感器电容极板间电容值;根据电容层析图像重建算法;将所测量电容值重构出聚合物熔体介电常数分布;建立聚合物熔体介电常数与温度的关系模型;根据关系模型将聚合物熔体介电常数分布转换为相对应的聚合物熔体温度场。本发明提高了人们对聚合物熔体温度获取能力,优于传统局部单点测量方式,解决现有测量温度方法难以测到聚合物熔体温度场难题,具有非侵入、响应速度快、结构简单等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 电容 层析 成像 聚合物 体温 测量方法 系统 | ||
【主权项】:
一种基于电容层析成像的聚合物熔体温度场测量方法,其特征在于,所述方法在于,所述方法包括:A测量已标定的电容式聚合物熔体温度场传感器电容极板间电容值;B根据电容层析图像重建算法;C将所测量电容值重构出聚合物熔体介电常数分布;D建立聚合物熔体介电常数与温度的关系模型;E根据关系模型将聚合物熔体介电常数分布转换为相对应的聚合物熔体温度场。
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