[发明专利]一种双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法有效
| 申请号： | 201210090097.0 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102623563A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 殷涵玉;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)将原始硅片进行清洗，去除背面的损伤层；(2)将上述硅片的正面背靠背进行单面硼扩散，硅片背面为扩散面；(3)在扩散后的硅片背面沉积掩膜层；(4)将硅片的正面进行清洗，去除损伤层，制绒，去除绕射扩散层；(5)将硅片的背面背靠背进行单面磷扩散，硅片正面为扩散面；(6)去除扩散形成的周边结、杂质玻璃以及掩膜；(7)在硅片的两面分别沉积减反膜；(8)在硅片的两面分别印刷金属电极，烧结，即可得到双面受光型晶体硅太阳电池。本发明避免了绕射对电池电性能的影响，电池的光电效率可以提高0.3~0.5%，具有积极的现实意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 受光型 晶体 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将原始硅片进行清洗，去除背面损伤层；(2) 将上述硅片的正面背靠背进行单面硼扩散，硅片背面为扩散面；(3) 在扩散后的硅片背面沉积掩膜层；(4) 将硅片的正面进行清洗，去除损伤层，去除绕射扩散层，制绒；(5) 将硅片的背面背靠背进行单面磷扩散，硅片正面为扩散面；(6) 去除扩散形成的周边结、杂质玻璃以及掩膜；(7) 在硅片的两面分别沉积减反膜；(8) 在硅片的两面分别印刷金属电极，烧结，即可得到双面受光型晶体硅太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
