[发明专利]带有半空洞结构的两层半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201210090254.8 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102610572A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明通过采用低温键合、低温剥离的方法，实现下层半导体器件层上的上层半导体层的层转移，然后在上层半导体层中制备上层半导体器件，最后一次性完成上层接触孔和下层接触孔工艺，实现上下两层半导体器件隔离制备方法，工艺简单，有效提高了半导体器件的集成度。同时在上下层半导体器件层中制备有空洞层+绝缘介质支撑层结构的半空洞隔离结构，有效降低了上下器件层之间的电容耦合效应。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 半空 结构 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有半空洞结构的两层半导体器件的制备方法，其特征在于，步骤包括：步骤1，提供已图形化的下层支撑片，下层支撑片中器件的ILD层为无定形碳层，在下层支撑片的ILD层上沉积有薄层二氧化硅层，下层支撑片中器件STI结构上方制备一层绝缘介质层，作为空洞层的支撑结构；提供上层硅，其中，所述上层硅包括富硼、氢层，并且包括位于表面的二氧化硅层；对上层硅的二氧化硅层和下层支撑片的二氧化硅层进行活化处理和亲水处理，以增加处理表面的硅醇键。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
