[发明专利]一种用于杆控微波管的阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 201210090785.7 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102637565A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 吴华夏;邓清东;贺兆昌;宋田英;张丽 | 申请（专利权）人： | 安徽华东光电技术研究所 |
| 主分类号： | H01J23/04 | 分类号： | H01J23/04;H01J9/02 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 张小虹 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于杆控微波管的阴极及其制备方法，阴极包括阴极发射体(1)和阴极钼筒(2)，阴极发射体为由钨基底和阴极盐组成，阴极钼筒作为阴极发射体的支撑，阴极发射体可完全位于阴极钼筒内圆周上，也可局部突出于阴极钼筒；阴极钼筒(2)的阴极发射面呈平面或者是球状面，且阴极发射面上设有一层锇铱铝膜，锇铱铝膜的厚度为0.3微米-0.6微米，阴极发射体1)上设有通孔。具有上述特殊结构的该种用于杆控微波管的阴极发射电流密度大，并且是端面发射，阴极体中心开了通孔，满足了采用杆控技术微波管对阴极的特殊需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 微波 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于杆控微波管的阴极，其特征在于：所述的阴极包括阴极发射体(1)和阴极钼筒(2)，阴极发射体(1)为由钨基底和阴极盐组成，阴极钼筒(2)作为阴极发射体的支撑，阴极发射体(1)可完全位于阴极钼筒(2)内圆周上，也可局部突出于阴极钼筒(2)；所述的阴极发射体(1)的发射面呈平面或者是球状面，且阴极发射面上设有一层贵金属镀膜，阴极发射体(1)上设有通孔。
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