[发明专利]双面微通道液冷功率半导体整晶圆平板压接封装结构有效

专利信息
申请号: 201210090859.7 申请日: 2012-03-30
公开(公告)号: CN103367279B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 刘胜;吴林;徐玲;周洋;陈明祥 申请(专利权)人: 南京皓赛米电力科技有限公司
主分类号: H01L23/473 分类号: H01L23/473
代理公司: 上海市华诚律师事务所31210 代理人: 李平
地址: 210000 江苏省南京紫金(*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 双面微通道液冷功率半导体整晶圆平板压接封装结构,包括功率半导体晶圆、弹簧针、石墨片、发射极金属片、集电极金属片、上冷却板、下冷却板、陶瓷管壳,所述晶圆上下表面采用石墨片压接,发射极金属片和集电极金属片分别位于石墨片上作为引线端子引出晶圆的集电极和发射极,这些器件均密封封装在陶瓷管壳内,上冷却板和下冷却板分别压接在陶瓷管壳的顶部和底部,上冷却板和下冷却板中设有冷却微通道,在上冷却板中心位置压入弹簧针,引出晶圆的门极。本发明的优点是实现无引线连接,降低引线键合所产生的杂散电感和电容,提高了电流导通能力,导热性能、耐热冲击能力和可靠性,封装结构体积小,散热系数大,具有使用寿命长,智能监控的功能。
搜索关键词: 双面 通道 功率 半导体 整晶圆 平板 封装 结构
【主权项】:
一种双面微通道液冷功率半导体整晶圆平板压接封装结构,包括:功率半导体晶圆、弹簧针、石墨片、发射极金属片、集电极金属片、上冷却板、下冷却板、陶瓷管壳,其特征在于所述功率半导体晶圆上下表面采用石墨片压接,发射极金属片和集电极金属片分别位于石墨片上作为引线端子引出功率半导体晶圆的集电极和发射极,石墨片、发射极金属片、集电极金属片和功率半导体晶圆均密封封装在陶瓷管壳内,上冷却板和下冷却板分别压接在陶瓷管壳的顶部和底部,上冷却板和下冷却板中设有冷却微通道,微通道内的冷却液通过泵实现循环冷却,在上冷却板中心位置和石墨片、发射极金属片中心位置均设有一孔,孔中压入弹簧针,弹簧针与功率半导体晶圆中心位置的门极接触,弹簧针与上冷却板、发射极金属片、石墨片之间通过绝缘材料隔离并密封。
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