[发明专利]发光二极管元件

摘要

本发明公开一种发光二极管元件，其包含一基板，该基板具有一第一表面；多个发光二极管单元，形成在第一表面上，每一个发光二极管单元包含一第一半导体层、一第二半导体层，形成在第一半导体层上、以及一活性层，形成在第一半导体层与第二半导体层之间；以及多个导电配线结构，彼此完全分离，一端具有一第一延伸部分别形成在第二半导体层上，直接接触第二半导体层，并通过第二半导体层彼此电性连结；其中，上述多个导电配线结构另一端具有一第二延伸部分别形成在另一发光二极管单元上，直接接触另一发光二极管单元所包含的上述多个半导体层其中之一。

主权项

一种发光二极管元件，包含：基板，具有第一表面；多个发光二极管单元，形成在该第一表面上，任一该些发光二极管单元包含：第一半导体层；第二半导体层，形成在该第一半导体层上；以及活性层，形成在该第一半导体层与该第二半导体层之间；其中每一该些发光二极管单元包含一上表面，该上表面包含一水平侧边；以及第一组群导电配线结构，包含彼此完全分离的多个导电配线结构，形成在该些发光二极管其中之一发光二极管单元的该水平侧边上；其中该些导电配线结构其一端分别具有一第一延伸部形成在该发光二极管单元的该第二半导体层上，直接接触该发光二极管单元的该第二半导体层，并通过该第二半导体层彼此电性连结；该些导电配线结构其另一端分别具有一第二延伸部形成在该些发光二极管单元其中相邻另一发光二极管单元上，直接接触相邻该另一发光二极管单元所包含的该些半导体层其中之一；该些导电配线结构分别还具有一跨接部，位于该第一延伸部及该第二延伸部之间，且该跨接部的宽度大于该第一延伸部及该第二延伸部的宽度。