[发明专利]金属有机化合物化学气相沉积方法及其装置有效
申请号: | 201210090988.6 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN103361624A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 马悦;黄占超;何川;王俊;宋涛;林芳;任爱玲;丁兴燮;萨尔瓦多;奚明 | 申请(专利权)人: | 理想能源设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种金属有机化合物化学气相沉积方法及其装置。所述方法包括:提供基座及至少一基片;提供第一进气装置和第二进气装置,第一气体沿着第一出气口喷出的方向与第二气体沿着第二出气口喷出的方向成一夹角;第一气体与第二气体在基片上表面沉积得到一层金属有机化合物;第一气体在反应区域内浓度梯度分布,包括A区域和B区域,A区域的气体平均浓度高于B区域的气体平均浓度;第二气体在反应区域内的浓度梯度分布,包括C区域和D区域,C区域的气体平均浓度高于D区域的气体平均浓度;A区域与C区域间隔排列;基片依次通过A区域与C区域。本发明既可以避免反应气体提前反应,也可以提高反应速率,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 金属 有机化合物 化学 沉积 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
一种金属有机化合物化学气相沉积方法,其特征在于,包括:提供一基座及至少一基片,基座具有一上表面,所述基片设置于所述基座的上表面;提供用于传输第一气体的具有若干第一出气口的第一进气装置和用于传输第二气体的具有若干第二出气口的第二进气装置,所述第一气体沿着所述第一出气口喷出的方向与所述第二气体沿着所述第二出气口喷出的方向成一夹角,所述夹角的角度数值为60度~120度;所述第一气体与所述第二气体在所述基片上方形成反应区域,并在所述基片上表面沉积得到一层金属有机化合物;所述第一气体在所述反应区域内浓度梯度分布,包括A区域和B区域,所述A区域的第一气体平均浓度高于所述B区域的第一气体平均浓度;所述第二气体在所述反应区域内的浓度梯度分布,包括C区域和D区域,所述C区域的第二气体平均浓度高于所述D区域的第二气体平均浓度;所述A区域与所述C区域间隔排列,所述基片依次通过所述A区域与所述C区域。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
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