[发明专利]晶片的磨削方法

摘要

本发明提供一种晶片的磨削方法，当对在蓝宝石基板的表面形成有半导体层并且在外周进行了倒角后的晶片的背面进行磨削的时候，使内部不会产生裂纹。在对在蓝宝石基板(10)的表面层叠有发光层(11)并且至少在表面侧的外周形成有倒角部(12)的晶片(1)的背面(1b)进行磨削的方法中，将晶片(1)的表面(1a)粘贴在硬质基板(2)，至少在硬质基板(2)与晶片(1)的倒角部(12)之间的间隙填充树脂(3)，在该状态下磨削晶片(1)的背面(1b)。由于是在硬质基板(2)与晶片(1)的倒角部(12)之间的间隙填充有树脂(3)的状态下进行磨削，因此倒角部(12)不会抖动，能够防止以倒角部(12)为起点在内部产生裂纹。

主权项

一种晶片的磨削方法，所述晶片的磨削方法是对在蓝宝石基板的表面层叠有发光层并且至少在表面侧的外周形成有倒角部的晶片的背面进行磨削的方法，所述晶片的磨削方法的特征在于，所述晶片的磨削方法至少由下述工序构成：树脂填充工序，在该工序中，使晶片的表面与支承晶片的硬质基板的表面面对，并且至少在该硬质基板与该晶片的倒角部之间的间隙填充树脂；和背面磨削工序，在该工序中，在所述树脂固化之后，将所述硬质基板侧保持在能够旋转的卡盘工作台并使所述晶片的背面露出，使呈环状地具备磨削磨具的磨削轮旋转，以使所述磨削磨具通过所述晶片的旋转中心的方式使所述磨削轮接触所述背面来对所述背面进行磨削。