[发明专利]温度控制方法以及等离子体处理系统有效
| 申请号： | 201210091617.X | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102736648A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 松土龙夫 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G05D23/30 | 分类号： | G05D23/30;G01K11/32;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种温度控制方法以及等离子体处理系统，能够高精确度地控制晶圆(W)的温度。温度控制方法的特征在于，具备以下步骤：获取步骤，获取晶圆(W)的背面膜的种类的测量结果；选择步骤，从将向腔室内投入的能量、背面膜的种类以及晶圆(W)的温度相对应地进行了存储的第一数据库(330)，选择与作为上述测量结果的晶圆(W)的背面膜的种类和为了对上述晶圆(W)进行处理而投入的能量对应的晶圆(W)的温度；以及调整步骤，根据所选择的上述晶圆(W)的温度，调整上述晶圆(W)的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 控制 方法 以及 等离子体 处理 系统 | ||
【主权项】：
一种温度控制方法，其特征在于，包括以下步骤：获取步骤，获取被处理体的背面膜的种类的测量结果；选择步骤，从将向腔室内投入的能量、背面膜的种类以及被处理体的温度相对应地进行存储的第一数据库中，选择与作为上述测量结果的被处理体的背面膜的种类以及为了对上述被处理体进行处理而投入的能量相对应的被处理体的温度；以及调整步骤，根据所选择的被处理体的温度，调整上述被处理体的温度。
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