[发明专利]调整方法和基板处理装置有效
| 申请号： | 201210091863.5 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102732850A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 茅野孝;青木洋治郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种调整方法和基板处理装置，能够提高基板处理装置的生产率。基板处理装置(1)包括：相互组合而进行一系列的工序的处理模块(10A、10B)；和控制部(70)。当由于处理模块(10A)的调整的开始而中断所述一系列的工序时，处理模块(10B)成为待机状态，并且以至少在处理模块(10B)中与基板(W)的处理相关联而设定的第二累计值在设定值N2以上为条件，在处理模块(10B)中开始第三累计值的计数，当该第三累计值超过设定值N3时，实施处理模块(10B)的调整。 | ||
| 搜索关键词： | 调整 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种调整方法，在具备对基板进行规定处理的多个处理室的基板处理装置中对所述处理室的内部进行调整，该调整方法的特征在于，包括：所述多个处理室包括相互组合而对基板实施一系列的工序的第一处理室和第二处理室，在所述第一处理室中，在与基板的处理相关联而设定的第一累计值达到设定值N1时，实施调整，当由于所述第一处理室的调整的开始而中断所述一系列的工序时，所述第二处理室成为待机状态，并且以至少在所述第二处理室中与基板的处理相关联而设定的第二累计值为设定值N2以上作为条件，在所述第二处理室中开始第三累计值的计数，当该第三累计值超过设定值N3时，实施所述第二处理室的调整。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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