[发明专利]丙酮传感器装置在审
| 申请号： | 201210092059.9 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103364443A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 叶哲良;果尚志 | 申请（专利权）人： | 叶哲良 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种丙酮传感器装置，其具有：一容气室，用以容纳一测试者的一呼气样本；以及一丙酮感测组件，置于该容气室中，用以依该呼气样本的丙酮浓度产生一输出电流，该丙酮感测组件具有：一基板；一缓冲层，沉积于该基板之上；一InN外延层，沉积于该缓冲层之上以提供该输出电流的一电流路径；一第一导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一漏极接点；以及一第二导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一源极接点。 | ||
| 搜索关键词： | 丙酮 传感器 装置 | ||
【主权项】：
一种丙酮传感器装置，其具有：一容气室，用以容纳取自一受测者的一呼气样本；以及一丙酮传感器，置于该容气室中以依该呼气样本的丙酮浓度产生一输出电流，该丙酮传感器具有：一基板；一缓冲层，沉积于该基板上；一InN外延层，沉积于该缓冲层上以提供该输出电流的一电流路径；一第一导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一漏极接点；以及一第二导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一源极接点。
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