[发明专利]一种金属微腔光耦合太赫兹量子阱光子探测器有效
申请号: | 201210092230.6 | 申请日: | 2012-03-31 |
公开(公告)号: | CN103367473A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 郭旭光;曹俊诚;张戎;张真真;谭智勇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/101 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种金属微腔光耦合太赫兹量子阱光子探测器,包括:半导体衬底、金属反射层、多量子阱结构、以及金属光栅。所述金属光栅、多量子阱结构与金属反射层组成法布里-珀罗结构的金属共振微腔,调整所述金属光栅的周期、金属条的宽度以及多量子阱结构的厚度,使入射光子在腔体内形成符合法布里-珀罗结构的共振模,可以在金属共振微腔中形成强场区,提高了入射光的有效强度,进而提高器件的响应率、探测灵敏度和工作温度。本发明结构简单,效果显著,实用性强,适用于工业生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 微腔光 耦合 赫兹 量子 光子 探测器 | ||
【主权项】:
一种金属微腔光耦合太赫兹量子阱光子探测器,其特征在于,至少包括:半导体衬底;金属反射层,结合于所述半导体衬底;多量子阱结构,包括结合于所述金属反射层的下电极、结合于所述下电极的GaAs/(Al,Ga)As量子阱叠层、以及结合于所述GaAs/(Al,Ga)As量子阱叠层的上电极;金属光栅,结合于所述多量子阱结构,包括多个间隔排列的金属条;所述金属光栅、多量子阱结构与金属反射层组成法布里‑珀罗结构的金属共振微腔。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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