[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法有效
| 申请号： | 201210093432.2 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102737945A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 大木达也;小泽亘;深泽公博;金谷和博 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体处理方法。在平行平板型的等离子体处理装置中，一边利用温度调整机构(47)将上部电极(40)调整至设定温度一边进行等离子体处理，以抑制由处理的环境气氛改变所引起的基板间的处理的均匀性的下降。包括：存储有用于进行等离子体处理的处理方案的方案存储部(56)；在输入画面中设定在开始使用新的第二电极之后的等离子体处理的累计时间或基板的处理个数和第二电极的设定温度的修正值的修正值设定部(54)；存储修正后的设定值的存储部(55)；和将写入处理方案的上部电极(40)的设定温度与上述存储部(55)内的修正值相加，基于修正后的设定温度控制温度调整机构(47)的程序。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其是平行平板型的等离子体处理装置，在设置于真空容器内的兼用作第一电极的载置台载置基板，在所述第一电极与第二电极之间施加高频电力，将处理气体等离子体化，利用得到的等离子体对基板进行等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括：用于调整所述第二电极的温度的温度调整机构；设定等离子体处理时的所述第二电极的温度的温度设定部；设定温度修正部，在开始使用新的第二电极之后，以随着使用时间的经过，降低该第二电极的设定温度的方式进行修正；和温度控制部，基于所述第二电极的设定温度，输出用于控制所述温度调整机构的控制信号。
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