[发明专利]具有限定在类金刚石形状半导体结构中的沟道的FinFET器件有效
| 申请号： | 201210093539.7 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102969340A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 林佑儒;吴政宪;柯志欣;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/04;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了FinFET器件。FinFET器件包括：具有第一半导体材料的半导体衬底；具有第一半导体材料的鳍片结构，该鳍片结构位于半导体衬底的上面，其中该鳍片结构具有第一晶面取向的顶面；具有第二半导体材料的类金刚石形状结构，该类金刚石形状结构被设置在鳍片结构的顶面上方，其中类金刚石形状结构具有至少一个第二晶面取向的表面；栅极结构，该栅极结构被设置在类金刚石形状结构的上方，其中所述栅极结构使源极区和漏极区分隔开；以及沟道区，该沟道区被限定在源极区和漏极区之间的类金刚石形状结构中。本发明提供了具有限定在类金刚石形状半导体结构中的沟道的FinFET器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 限定 金刚石 形状 半导体 结构 中的 沟道 finfet 器件 | ||
【主权项】：
一种FinFET器件包括：具有第一半导体材料的半导体衬底；具有所述第一半导体材料的鳍片结构，位于所述半导体衬底的上面，其中所述鳍片结构具有第一晶面取向的顶面；具有第二半导体材料的类金刚石形状结构，被设置在所述鳍片结构的所述顶面上方，其中所述类金刚石形状结构具有至少一个第二晶面取向的表面；栅极结构，被设置在所述类金刚石形状结构的上方，其中所述栅极结构使源极区和漏极区分隔开；以及沟道区，被限定在所述源极区和所述漏极区之间的所述类金刚石形状结构中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210093539.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种塑料粉碎机
- 下一篇：无频综器的铷钟频率变换电路
- 同类专利
- 专利分类
