[发明专利]制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法有效
| 申请号： | 201210093564.5 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623588A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 孙波;赵丽霞;伊晓燕;刘志强;魏学成;王国宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次外延生长u-GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN耦合层；步骤3：在p-GaN耦合层上生长纳米金属层；步骤4：在纳米金属层上生长一P-GaN盖层；步骤5：在P-GaN盖层上生长一p-GaN电流扩展层，完成外延结构的制备。本发明是利用金属的核壳结构的等立体增强绿光发光二极管的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氮化 镓绿光 发光二极管 外延 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次外延生长u‑GaN层、n‑GaN层、多量子阱层和p‑GaN耦合层；步骤3：在p‑GaN耦合层上生长纳米金属层；步骤4：在纳米金属层上生长一P‑GaN盖层；步骤5：在P‑GaN盖层上生长一p‑GaN电流扩展层，完成外延结构的制备。
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