[发明专利]热处理装置以及热处理方法无效

专利信息
申请号: 201210093660.X 申请日: 2012-03-31
公开(公告)号: CN102737988A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 吉井弘治;山口达也;王文凌;斋藤孝规 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/324 分类号: H01L21/324
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李伟;舒艳君
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在装载晶片时准确地推断晶片温度并迅速地对晶片实施热处理的热处理装置以及热处理方法。热处理装置(1)具备:对保持在舟皿(12)的晶片(W)进行处理的处理容器(3)、加热处理容器的加热器(18A)及控制加热器的控制装置(51)。在加热器与处理容器之间设置外部温度传感器(50),在处理容器内设置内侧温度传感器(81)及内部轮廓温度传感器(82),在舟皿设置轮廓温度传感器(83)。这些温度传感器与温度预测部(51A)连接,温度预测部选择任意两个温度传感器,如内侧温度传感器及轮廓温度传感器,在将来自所选的温度传感器的检测温度设为T1、T2时,根据T=T1×(1-α)+T2×α、α>1求出晶片温度T。
搜索关键词: 热处理 装置 以及 方法
【主权项】:
一种热处理装置,其特征在于,具备:对被处理体进行处理的处理容器;设置于处理容器的外侧并从外侧加热该处理容器的加热部;保持部,该保持部载置保持被处理体,并且能够搬入到处理容器内或从处理容器内搬出;保持部搬送部,该保持部搬送部用于将保持部搬入到处理容器或从处理容器搬出;第一温度传感器,该第一温度传感器设置于加热部与处理容器之间,并检测加热部的温度;第二温度传感器,该第二温度传感器固定于处理容器内,并检测处理容器内的温度;第三温度传感器,该第三温度传感器与保持部一起被搬入到处理容器内或从处理容器内搬出;控制对加热部的输出的控制部;以及温度预测部,该温度预测部选择第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中的任意两个温度传感器,并基于来自这两个温度传感器的检测温度预测被处理体温度T。
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