[发明专利]化学机械研磨后清洗方法以及化学机械研磨方法有效
| 申请号： | 201210093921.8 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102626704B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李儒兴;李志国 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/04 | 分类号： | B08B7/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅化学机械研磨后清洗方法以及化学机械研磨方法。根据本发明的化学机械研磨后清洗方法包括PVA刷洗步骤，所述PVA刷洗步骤包括：首先，利用NH4OH浸润冲洗晶圆表面；随后，停止NH4OH对晶圆的浸润冲洗；此后，使用刷子刷晶圆表面。本发明先在用NH4OH浸润冲洗晶圆表面，待此步骤结束后再使用刷子刷晶圆，这样化学作用和物理作用分离的方法既达到了相同的清洗效果又不会对多晶硅表面已经形成的自然氧化层产生破坏，从而保证了较好的自然氧化层的均匀度，避免了对下一步的回蚀制程的不均匀性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 清洗 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨后清洗方法，其特征在于包括PVA刷洗步骤，所述PVA刷洗步骤包括：首先，利用NH4OH浸润冲洗晶圆表面；随后，停止NH4OH对晶圆的浸润冲洗；此后，使用刷子刷晶圆表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210093921.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
