[发明专利]一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210094292.0 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102633531A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 张劲松;田冲;杨振明;曹小明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06;C04B35/565;C04B35/632;C04B35/64;B01D69/10;B01D71/02 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域，具体为一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法。梯度孔隙纯质碳化硅膜管的组成为纯质SiC，由支撑体层及表面膜层构成梯度过滤结构；其中，支撑体由粗颗粒碳化硅堆积结合而成，平均孔径5～120μm，表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成，孔径0.1～20μm，膜管整体气孔率在25～50％之间。制备方法依次包括配料、支撑体成型、膜层制备和烧成，成型采用等静压成型，成型压力控制为40～150MPa，烧成温度控制为1500～2400℃，保温时间0.5～5小时，易于实现，能够保证产品性能。本发明可在氧化气氛下使用，也可以在还原气氛下使用，耐酸、碱腐蚀性能强，可用于煤气化化工及IGCC、PFBC煤气化发电、高温烟气、汽车尾气、水净化等各种高、低温流体过滤净化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 梯度 孔隙 碳化硅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管，其特征在于：梯度孔隙纯质碳化硅膜管的组成为纯质SiC，由支撑体层及表面膜层构成梯度过滤结构；其中，支撑体由粗颗粒碳化硅堆积结合而成，平均孔径5～120μtm，表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成，孔径0.1～20μtm，膜管整体气孔率在25～50％之间。
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