[发明专利]光半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种在具有有机EL元件的设备中不使来自有机EL层的光提取效率恶化而阻水性和平坦化性高的密封膜及其制造方法。在具有从基板的主面侧起依次形成的阳极电极(103)、有机EL层(105)以及阴极电极(106)以及设置于基板上以覆盖该发光层的密封膜的设备中，密封膜包含交替地层叠作为平坦化膜的缓冲膜(108、110、112)以及阻水性高的缓冲膜(109、111)而成的层叠膜，平坦化膜以及阻挡膜包含氮氧化硅膜。另外，在设备的制造工序中，通过使用了真空紫外线的光CVD法来形成包含氮氧化硅的缓冲膜(108)，在该工序中在真空紫外线的照射过程中通过远程等离子体进行自由基照射(radical irradiation)。

主权项

一种光半导体装置，具有在基板上从上述基板的主面侧起依次形成的第一电极、有机发光层、第二电极，以及设置于上述基板上以覆盖上述发光层的密封膜，该光半导体装置的特征在于，上述密封膜包含交替地层叠平坦化膜和阻挡膜而成的层叠膜，上述平坦化膜以及上述阻挡膜包含氮氧化硅膜。