[发明专利]源漏轻掺杂方法、半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210097698.4 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102623314A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种源漏轻掺杂方法，其中离子注入方向向源极方向倾斜并与垂直于衬底方向成一夹角。由于离子注入方向不再垂直于衬底表面，所以源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区为非对称结构，漏极轻掺杂区与栅极结构下方的衬底之间的交叠面积减小，从而减小了漏极与栅极之间的寄生交叠电容，进而减小了共源极放大器的密勒电容，有效的提高了共源极放大器的频率响应特性。 | ||
| 搜索关键词： | 源漏轻 掺杂 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
一种源漏轻掺杂方法，其特征在于，所述源漏轻掺杂方法的离子注入方向向源极方向倾斜并与垂直于衬底方向成一夹角，以使形成的源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区为非对称结构，所述源极轻掺杂区比漏极轻掺杂区更靠近沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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