[发明专利]一种氮化硅坩埚的制备方法有效
| 申请号： | 201210097771.8 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103360083A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 郑志东;王先进;尹慧 | 申请（专利权）人： | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/66 | 分类号： | C04B35/66;F27B14/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 314117 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化硅坩埚的制备方法，包括以下步骤：a)将由氮化硅粉和助烧剂组成的混合粉体进行造粒、成型，得到坩埚生胚，所述助烧剂为二氧化硅；b)将所述坩埚生胚进行气压烧结，得到氮化硅坩埚。本发明采用二氧化硅为助烧剂，不但能够促进氮化硅晶粒生长，降低气压烧结的温度，减少在气压烧结过程中氮化硅的分解，而且克服了使用Al2O3和MgO等金属氧化物为助烧剂而在坩埚中引入金属杂质的缺点，从而避免了后续所得硅晶电阻率急剧降低的现象，利于硅晶的应用。另外，本发明提供的氮化硅坩埚的制备方法操作简便，易于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 坩埚 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化硅坩埚的制备方法，包括以下步骤：a)将由氮化硅粉和助烧剂组成的混合粉体进行造粒、成型，得到坩埚生胚，所述助烧剂为二氧化硅；b)将所述坩埚生胚进行气压烧结，得到氮化硅坩埚。
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