[发明专利]电源反接保护高压电路无效
| 申请号： | 201210098037.3 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102638034A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 王春来;朱海华 | 申请（专利权）人： | 杭州科岛微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H11/00 | 分类号： | H02H11/00 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 梁寅春 |
| 地址： | 310021 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 构造简单，应用面广的电源反接保护高压电路，由限流电阻R1、二极管和NMOS场效应管组成，所述二极管有第1二极管D1、第2二极管D2……和第n二极管Dn，限流电阻R1一端接电源，限流电阻R1另一端接NMOS场效应管的栅极，NMOS场效应管的漏极接地，NMOS场效应管的源极和衬底短接后接被保护的器件，所述第1二极管D1、第2二极管D2……和第n二极管Dn极性方向相同地相继串联，第1二极管D1的阳极与所述限流电阻R1和NMOS场效应管栅极的接端连接，第n二极管Dn的阴极接地。本发明适用于电路或用电器的电源反接保护。 | ||
| 搜索关键词： | 电源 反接 保护 高压 电路 | ||
【主权项】：
电源反接保护高压电路，其特征是由限流电阻R1、二极管和NMOS场效应管组成，所述二极管有第1二极管D1、第2二极管D2……和第n二极管Dn，限流电阻R1一端接电源，限流电阻R1另一端接NMOS场效应管的栅极，NMOS场效应管的漏极接地，NMOS场效应管的源极和衬底短接后接被保护的器件，所述第1二极管D1、第2二极管D2……和第n二极管Dn极性方向相同地相继串联，第1二极管D1的阳极与所述限流电阻R1和NMOS场效应管栅极的接端连接，第n二极管Dn的阴极接地。
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