[发明专利]一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法

摘要

本发明属于导电薄膜技术领域，具体为一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法。本发明通过射频或微波放电激发方式在真空室中产生大体积含氧、或含氯、或含氟强电负性元素的等离子体，把镀有ITO薄膜的玻璃片置于浸没在等离子体中的金属基片台上；将高电压负脉冲加在基片台上，使ITO薄膜与等离子体之间形成负电压鞘层，氧离子在鞘层内被电场加速向ITO表面运动，高能氧离子注入到ITO表面并留在ITO表层内，提高ITO薄膜表面O/(Sn+In)原子比例，从而提高ITO表面功函数。由本发明修饰的ITO薄膜应用作有机电致发光器件（OLED）阳极，可大幅降低器件驱动电压，改善器件电流稳定性，提高光效和亮度，延长器件寿命。

主权项

一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法，其特征在于具体步骤为：采用射频或微波放电激发方式在真空室中产生大体积含氧、或含氯、或含氟强电负性元素的等离子体，把镀有ITO薄膜的玻璃片置于浸没在等离子体中的金属基片台上，ITO薄膜面向等离子体，基片台与真空腔体及地绝缘；连接高电压负脉冲方波电源，将高电压负脉冲加在金属基片台上，使ITO薄膜与等离子体之间形成负电压鞘层，氧离子在鞘层内被电场加速向ITO表面运动，高能氧离子注入到ITO表面并留在ITO表层内，提高ITO薄膜表面O/(Sn+In)原子比例，从而提高ITO表面功函数。