[发明专利]一种MOS场控晶闸管无效
| 申请号： | 201210098651.X | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102623492A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;齐跃;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;东莞电子科技大学电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L29/749;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种MOS场控晶闸管(MCT)，属于功率半导体器件技术领域。本发明将普通MCT的P型体区向下延伸、延伸区插入N-型漂移区，以增大P型体区与N-漂移区的接触面积，增加少数载流子的抽取通道，进而加快少数载流子的抽取速度，缩短关断时间，减小关断损耗。当P型延展区与N-型漂移区恰好达到电荷平衡时，电荷平衡的P型延展区与N-型漂移区恰好形成超结结构(SuperJunction)，这种情况下的MOS场控晶闸管能进一步优化反向耐压特性，降低器件的导通压降。本发明快速关断的特性，可显著提高器件的工作频率，使器件比常规MCT有更广的应用范围，更适合应用于高压开关电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶闸管 | ||
【主权项】：
一种MOS场控晶闸管，包括阳极结构、漂移区结构、阴极结构和栅极结构；其特征在于，所述漂移区结构包括N‑型漂移区(4)和P型延伸区(5)；所述P型延伸区(5)由阴极结构中的P型体区(3)向下延伸入N‑型漂移区(4)形成，但P型延伸区(5)不与阳极结构中的P+区(7)接触。
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